镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。
制作工艺
磁控溅射靶材
1）磁控溅射原理：
在被溅射的靶（阴）与阳之间加个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有定的负高压，从靶发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射般分为二种：直流溅射和射频溅射，其中直流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。而射频溅射的使用范围更为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还可进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，如今，常用的有电子回旋共振(ECR）型微波等离子体溅射。
2）磁控溅射靶材种类：
金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材 ，氮化物陶瓷溅射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷溅射靶材 ，硅化物陶瓷溅射靶材 ，硫化物陶瓷溅射靶材 ，碲化物陶瓷溅射靶材 ，其他陶瓷靶材，掺铬氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化铟靶材（InP），砷化铅靶材（PbAs），砷化铟靶材（InAs）。
应用领域
众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用 产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发， 预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜，这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外，近 年来平面显示器（F P D）大幅度取代原 以阴射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增 加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘，高密度的可擦写光盘的需求持 续增加． 这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。下面我们将分别介绍靶材的主要应用域，以及这些域靶材发展的趋势。
微电子域
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的 硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅 片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和 细晶粒， 这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性 已被认为是影响薄膜沉 积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关 系大，过去99.995 %（4 N5） 纯度的铜靶，或许能够满 足半导体厂商0.3 5pm 工艺的需求，但是却无法满足如今0.2 5um的工艺要求， 而未米的 0.18um }艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达 到5甚至 6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更 低的电阻率，能够满足！ 导体工艺在0 .25um 以下 的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与 有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导 致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡 层。阻挡层材料般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50n m，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻 挡层用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等 ．但是T a 、W 都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬 等的台金作为替代材料。
显示器用
平面显示器（FPD) 这些年来大幅冲击 以阴射线管 (CRT) 为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的i T O靶材有两种． 种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用 直流反应溅射制造 I T O薄膜，但是靶表面会氧化而影 响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今般采取种方法生产 I T O 靶材，利用 L } I R F反应溅射镀膜． 它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的致性好，与基板的附着力强等优点 l。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和 氧化锡不容易烧结在起。般采用 Z r O2 、B i 2 O 3 、 C e O
